7b03879 L. Caccamo, C. Fabrega, M. Marschewski, et al. Charge Transfer Characteristics of n‑type In 0.1 Ga 0.9 N Photoanode across Semiconductor−Liquid Interface J. Phys. Chem. C 120 , 28917−28923 (2016) […] G. Martin, et al. Insights into Interfacial Changes and Photoelectrochemical Stability of In x Ga 1−x N (0001) Photoanode Surfaces in Liquid Environments ACC Appl. Mater. Interfaces 8 , 8232−8238 (2016) […] deposition: A low-energy electron microscopy study J. Appl. Phys. 118 , 055701 (2015) DOI: 10.1063/1.4927725 J. Hartmann, X. Wang, H. Schumann, et al. Growth mechanisms of GaN microrods for 3D core–shell
Bergfeld, and W. Daum Surface Second-Harmonic Generation from Si(111)(1x1)H: Theory versus Experiment Phys. Rev. B 66 , 195329-1-5 (2002) F. Dederichs, A. Petukhova, and W. Daum Adsorption of CN at the […] 420g L. Caccamo, C. Fabrega, M. Marschewski, et al. Charge Transfer Characteristics of n‑type In 0.1 Ga 0.9 N Photoanode across Semiconductor−Liquid Interface J. Phys. Chem. C 120 , 28917−28923 (2016) […] G. Martin, et al. Insights into Interfacial Changes and Photoelectrochemical Stability of In x Ga 1−x N (0001) Photoanode Surfaces in Liquid Environments ACC Appl. Mater. Interfaces 8 , 8232−8238 (2016)
zu entnehmen: Aus der vom Femtosekunden-Lasersystem kommenden Laserstrahlung entfernt der Filtersatz 1 erwünschten Strahlung. Der Strahlteiler reflektiert einen Teil der verbleibenden Laserstrahlung in eine
Fest-Flüssig-Grenzflächen Abb. 1: SFG Spektrum der Wasser/Al2O3(0001)-Grenzfläche (ssp-Polarisation; s:SF, s:vis und p:IR) Festkörper/Flüssigkeit-Grenzflächen treten in nahezu allen chemischen, biologischen
Si/SiO2-Grenzfläche Abb. 1: Typisches SHG-Spektrum der Si(100)/SiO2-Grenzfläche mit den beitragenden Resonanzen. Si/SiO 2 ist das mit Abstand bedeutendste System in der Herstellung von MOS-Strukturen […] Hilfe SHG-Spektren im Bereich von 3,0 eV bis 4,6 eV Zweiphotonenenergie aufgenommen werden können (Abb. 1, eine detaillierte Erläuterung des Spektrums ist hier zu finden). Abb. 2: Veränderung des SHG-Spektrums
Auflösungen: ~ 1 µm im Augermodus und < 100 nm in der Sekundärelektronenmikroskopie Rasterkraftmikroskopie zur topographischen Charakterisierung von Oberflächen. Auflösung: ~ 1 nm lateral und < 1 nm vertikal […] elektrischen und topographischen Charakterisierung dünner dielektrischer Schichten. Auflösung: ~ 1 nm lateral und < 1 nm vertikal Elektronenemissionsmikroskopie von Oberflächen (direkt abbildendes, nicht rasterndes
