10.5162/SMSI2021/A1.1 W. L. Johnson, Yu. Suhak, H. Fritze, Mechanisms of Anelastic Loss in Langasite at Temperatures from 113 K to 1324 K, SMSI 21 Conference; doi: 10.5162/SMSI2021/A2.1 Yu. Suhak, B. Jerliu […] Conference; doi: 10.5162/SMSI2021/A1.3 Yu. Suhak, A. Kabir, D. Roshchupkin, B. Red’kin, S. Ganschow, H. Fritze, Oxygen Partial Pressure Dependent Electrical Conductivity of LiNb1−xTaxO3 Solid Solutions, SMSI […] Sugak, I.I. Syvorotka, S. Hurskyj, U. Yakhnevych, V. Hreb, Yu. Suhak, H. Fritze Investigations of LiNb1-xTaxO3 compounds with the stoichiometric composition as well as with the planned deviation from sto
Prof. Dr. W. Maus-Friedrichs, Prof. Dr. A. Weber (IMVT) | DFG (Förderkennzeichen: MA 1893/23-1 & WE 2331/18-1) Bearbeiter: Dr. Sebastian Dahle, M.Sc. Lisa Wurlitzer, M.Sc. Patrick Post Förderzeitraum: 07/2014 […] photochromen Schichten Prof. Dr. W. Maus-Friedrichs, Dr. S. Dahle | DFG (Förderkennzeichen: MA 1893/34-1) Bearbeiter: M.Sc. Viktor Udachin Förderzeitraum: 07/2019 - 12/2020 Einfluss von thermo-mechanischen […] Prof. Dr. W. Maus-Friedrichs, Prof. Dr.-Ing. habil. Kai Möhwald (IW Hannover) | DFG (FKZ: MA 1893/24-1) Bearbeiter: M.Sc. Cornelia Strauß Förderzeitraum: 11/2014 - 10/2019 Untersuchung an verzinkten Sta
Kontakt Anschrift 1 Arbeitsgruppe Atom- und Molekülphysik an Oberflächen Institut für Energieforschung und Physikalische Technologien Leibnizstraße 4 38678 Clausthal-Zellerfeld Germany Anschrift 2 Arb
Aus der Fertigung Werkstücke der Auszubildenden Abb. 1 Abb. 2 Abb. 3 Hier wollen wir einige Übungsstücke zeigen. Dieser LKW (Abb. 2) wurde von einem Azubi im 2. Ausbildungsjahr gefertigt. Es wurde mit
the Electrical Conductivity and Non-Stoichiometry of Thin Film Ce1−xZrxO2−δ by a Resonant Nanobalance Approach Materials 2021, 14, 748 (1-26); doi.org/10.3390/ma14040748 I. Kogut, C. Steiner, H. Wulfmeier […] Rembe, H. Fritze; Extraction of nanometer-scale displacements from noisy signals at frequencies down to 1 mHz obtained by differential laser Doppler vibrometry; Journal of Sensors and Sensor Systems Vol. 13 […] Schäfer, S. Ganschow, K.-D. Becker, S. Sanna, H. Fritze, Evolution of the Electrical Conductivity of LiNb1-XTaXO3 Solid Solutions across the Ferroelectric Phase Transformation, Physica Status Solidi A (2024)
Bergfeld, and W. Daum Surface Second-Harmonic Generation from Si(111)(1x1)H: Theory versus Experiment Phys. Rev. B 66 , 195329-1-5 (2002) Th. Schmidt, U. Groh, R. Fink, E. Umbach, O. Schaff, W. Engel […] 2016 L. Caccamo, C. Fabrega, M. Marschewski, et al. Charge Transfer Characteristics of n‑type In 0.1 Ga 0.9 N Photoanode across Semiconductor−Liquid Interface J. Phys. Chem. C 120 , 28917−28923 (2016) […] G. Martin, et al. Insights into Interfacial Changes and Photoelectrochemical Stability of In x Ga 1−x N (0001) Photoanode Surfaces in Liquid Environments ACC Appl. Mater. Interfaces 8 , 8232−8238 (2016)
System mit etwa 48,4 mol.-% Li 2 O wachsen. Das stöchiometrische Li/Ta- bzw. Li/Nb-Verhältnis von 1:1 kann jedoch z. B. durch den VTE-Prozess (Vapor Transport Equilibration), erreicht werden. LiNbO 3 […] Beschreibung der Nichtstöchiometrie von Cer-Zirkon Mischoxiden (Ce1-yZryO2-x) werden zwei komplementäre in-situ-Messmethoden verwendet: 1) Nanowaage mittels hochtemperaturstabilen piezoelektrischen Resonatoren […] gen beträgt 1,9 mJ. Zur weiteren Verbesserung der Empfindlichkeit werden strukturierte und miniaturisierte Resonatoren eingesetzt. Eine Vielzahl an Batteriematerialien wurde untersucht: (1) Elektroden:
Bergfeld, and W. Daum Surface Second-Harmonic Generation from Si(111)(1x1)H: Theory versus Experiment Phys. Rev. B 66 , 195329-1-5 (2002) F. Dederichs, A. Petukhova, and W. Daum Adsorption of CN at the […] 420g L. Caccamo, C. Fabrega, M. Marschewski, et al. Charge Transfer Characteristics of n‑type In 0.1 Ga 0.9 N Photoanode across Semiconductor−Liquid Interface J. Phys. Chem. C 120 , 28917−28923 (2016) […] G. Martin, et al. Insights into Interfacial Changes and Photoelectrochemical Stability of In x Ga 1−x N (0001) Photoanode Surfaces in Liquid Environments ACC Appl. Mater. Interfaces 8 , 8232−8238 (2016)
